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硅片纳米样机CEC-45所研制成功300mm硅片化学机械抛光设备

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硅片化学机械抛光设备(简称"CMP")是集成电路等电子元器件生产进入纳米级工艺后的一项关键设备,在技术难度和重要性上仅次于光刻机,当今世界只有美、日两国才能生产,单台售价300万美元以上。2009年国家将其列入科技重大专项予以支持,并由中国电子科技集团公司四十五研究所承担了这项科研任务。

该项目针对300mm硅片的纳米级工艺,要求抛光后硅片:微粗糙度指标小于0.2纳米;整片平整度误差小于200纳米;25×25毫米面积局部平整度误差小于20纳米;各类金属离子污染控制要求极严。45所项目组利用近几年积累的技术基础、正向设计思想和六西格玛理论与方法,从研究用户生产工艺技术出发,按照系统设计的步骤,先后攻克了CMP心轴、硅片承载器、主轴周向旋转工位分度六维机械控制、抛光压力精确控制、承载背部压力分区控制等关键技术,完成了20项专利(其中国内发明专利11项,国际发明专利3项)的申请,研发成功拥有自主知识产权的我国首台300mm单面硅片化学机械抛光设备样机。

目前,45所已把精力转入到该课题的产业化研究上来,计划在2011年年底不仅完成γ机样机研制任务,更要推进成果转化为商品化的步伐。

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